三层三角柱是通过化学气相沉积技术(CVD)制备出来的。首先,将金属基底置于反应室中,然后通过加热使得反应室内的气体反应,并在金属基底上形成一层薄膜。
接着,将反应条件调整,使得金属基底上的薄膜继续生长形成第二层,再次调整反应条件使其生长第三层,最终形成三层三角柱。这种制备方法具有高度可控性和可重复性,可以制备出具有优异性能的纳米结构。
三层三角柱是通过扦插繁殖而来的。
扦插繁殖是花卉栽培中经常使用的一种方法,扦插时需要选择合适的茎干,一般以完整、厚实、饱满的茎干为主,长度大约在10厘米左右,将茎干放在旁边阴凉干燥处晾干。
然后准备疏松、透气、排水良好的基质,将切下来的茎干扦插到基质中,大约20-40天左右生根生长,种植后应注意好养护才能生长粗壮。