
7n65场效应管是一种N沟道MOSFET,其主要参数如下:
1. 额定电压(VDS):7V
2. 额定电流(ID):6.5A
3. 栅极-源极电压(VGS):±20V
4. 输出电容:90pF
5. 静态漏极电阻:.48Ω
6. 开关速度:快(开关时间为30ns)
7. 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
此外,7n65场效应管的封装形式是TO-220。

7n65场效应管是一种N沟道MOSFET,其主要参数如下:
1. 额定电压(VDS):7V
2. 额定电流(ID):6.5A
3. 栅极-源极电压(VGS):±20V
4. 输出电容:90pF
5. 静态漏极电阻:.48Ω
6. 开关速度:快(开关时间为30ns)
7. 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
此外,7n65场效应管的封装形式是TO-220。
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