原理：
钳位电路用于将MOSFET上的电压控制到特定值,一旦MOSFET电压达到阈值,所有额外的漏感能量都会转移到钳位电路,或者先储存起来慢慢耗散,或者重新送回主电路。
钳位的一个缺点是它会耗散功率并降低效率,因此,有许多不同类型的钳位电路可供选择。有多种钳位使用齐纳二极管来降低功耗,但它们会在齐纳二极管快速导通时增加EMI的产生量。RCD钳位能够很好地平衡效率、EMI产生量和成本,因此为常用。
钳位的工作原理为:MOSFET关断后,次级二极管立即保持反向偏置,励磁电流对漏极电容充电。当初级绕组电压达到由变压器匝数所定义的反射输出电压(VOR)时,次级二极管关断,励磁能量传递到次级。漏感能量继续对变压器和漏极电容充电,直到初级绕组电压等于箝位电容电压。 Vc=钳位电压此时,阻断二极管导通,漏感能量被转移到钳位电容。经由电容吸收的充电电流将漏极节点峰值电压钳位到VIN(MAX)+VC(MAX)。
漏感能量完全转移后,阻断二极管关断,钳位电容放电到钳位电阻,直到下一个周期开始。通常会添加一个小电阻与阻断二极管串联,以衰减在充电周期结束时变压器电感和钳位电容之间产生的任何振荡。
这一完整周期会在钳位电路中造成电压纹波(称为VDELTA),纹波幅度通过调节并联电容和电阻的大小来控制。
