化学机械抛光（CMP）是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得以进行。
CMP的主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。
CMP抛光液由研磨料、PH值调节剂、氧化剂、分散剂还有表面活性剂组成，介质复杂度很高。高品质抛光液的关键在于控制磨料的硬度、粒径、形状等因素，同时使得各成分达到合适的质量浓度，以达到最好的抛光效果。
抛光垫会在抛光的过程中会不断消耗，因而其使用寿命成为衡量抛光垫重要技术指标，越长的寿命越有利于晶圆厂维持稳定生产。此外，缺陷率对于抛光垫也同样重要，这一指标在纳米制程的晶圆生产中尤为重要。抛光垫的性质直接影响晶片的表面质量,是关系到平坦化效果的直接因素之一。
据卡博特官网公开披露的数据，2018年全球CMP材料市场规模约20.1亿美元，其中国内CMP材料市场规模大约3.9亿美元，2019年国内CMP材料市场规模达到4.5亿美元左右。半导体需求增加将拉动晶圆制造产量，将进一步扩大CMP材料市场的规模。
