27n80场效应管参数

产品说明

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

商标: IXYS

Id-连续漏极电流: 27 A

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms

晶体管极性: N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 520 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-227-4

封装: Tube

通道模式: Enhancement

配置: Single Dual Source

下降时间: 40 ns

正向跨导 - 最小值: 28 S

最小工作温度: - 55 C

上升时间: 80 ns

系列: IXFN27N80

工厂包装数量: 10

商标名: HiPerFET

典型关闭延迟时间: 75 ns

单位重量: 38 g