pn结的形成是漂移,扩散,
在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,此时两边电荷分布相当不均匀,扩散运动使P区空穴往N区运动,N区电子往P区运动,在P区和N区的交界处附近被相互中和掉,使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电荷区(耗尽层)。由于P区一侧带负电,N区一侧带正电,所以出现了方向由N区指向P区的内电场。
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