p沟道和n沟道mos管导通条件

结论：p沟道和n沟道MOS管导通的条件是栅极与源极之间的电压超过临界值。
原因：MOS管具有栅极、源极和漏极三个电极。
在p沟道和n沟道MOS管中，栅极和源极之间的电压可以调节沟道的大小和存在程度，当栅极和源极之间的电压超过临界值时，沟道内就会形成足够的载流子，从而使MOS管导通。
内容延伸：MOS管被广泛应用于数字电路中，因为它可以实现高电平输入的放大和低电平输入的屏蔽，同时还可以实现高阻态和低阻态的切换，从而实现了数字电路中的逻辑功能。
在集成电路中，p沟道和n沟道MOS管也常常被作为基本元件使用，例如常见的CMOS电路就是基于p沟道和n沟道MOS管的技术。