内存时序是内存存储器访问数据的时间参数，包括CL（CAS Latency）、RAS（Row Address Strobe）和CAS（Column Address Strobe）等参数。在设置内存时序时，需要考虑到内存、主板、处理器等硬件的兼容性，同时也需要根据内存时序的性能要求进行设置。
一般来说，内存时序设置越小，内存性能就越好，但需要考虑到兼容性和稳定性的问题。因此，在设置内存时序时，建议按照以下步骤进行：
1. 首先查看主板手册，确定主板支持的内存类型和时序参数范围。
2. 根据内存厂家提供的数据手册，查看内存的时序参数范围。
3. 根据内存和主板的兼容性要求，选择适合的时序参数进行设置。
4. 进入BIOS设置界面，找到内存时序相关设置项，进行相应的调整。
需要注意的是，内存时序的设置需要谨慎，过低或者过高的设置都可能会导致系统稳定性问题，因此建议根据实际情况进行适当的调整。
内存时序:一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-84个数字的含义依次为：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
RAS－to－CASDelay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－prechargeDelay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－activeDelay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
