DNW: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入.有点象BJT里面的埋层.目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底,使衬底藕合噪声更小.一般在对噪声比较敏感的芯片(比如RF芯片)上会用到.逻辑芯片一般都不会有的.对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路,那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好. PMOS也是一样.NWELL是可以隔离,那么下面再有一个DNW也没啥不好的.而且,如果PMOS放到DNW外面,设计规则上还有很多麻烦,因为)DNW是需要用NW环绕的.