三极管的发明。1947年12月,美国贝尔实验室成功研究了世界第一只点接触型半导体三极管。半导体三极管一般简称为晶体管。它的出现是继真空电子管之后电子元件的重大突破。它很快地投入生产,取代了真空管的地位。
大致的制作过程是这样的:
1.在掺有微量硼单晶锗上固定两个联有导线的锑小球。
2.在适当的温度下烧结,使锑扩散到掺有微量硼单晶锗中,形成两个PN结。
三极管的发明。1947年12月,美国贝尔实验室成功研究了世界第一只点接触型半导体三极管。半导体三极管一般简称为晶体管。它的出现是继真空电子管之后电子元件的重大突破。它很快地投入生产,取代了真空管的地位。
大致的制作过程是这样的:
1.在掺有微量硼单晶锗上固定两个联有导线的锑小球。
2.在适当的温度下烧结,使锑扩散到掺有微量硼单晶锗中,形成两个PN结。
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