IGBT是新型开关器件，开关速度快，加控制信号导通，去掉控制信号截止，控制方便，导通压降低，功耗低。IGBT的最大电流只有额定电流的2倍，耐冲击能力差。可控硅是传统的开关器件，控制功率大，耐冲击能力强。IGBT电炉真的比可控硅电炉节电吗?我们通过以下计算，就可以看出是否节电。 1吨的电炉如功率为500KW,进相电压380V,IGBT电炉的功率因数为0.98，直流电流为928A，4个IGBT消耗的功率为 [1V(IGBT导通压降）X 928A/2] X 4=1856W=1.856KW；可控硅电炉的功率因数为0.93，直流电流为977A,可控硅消耗的功率为：[1.2V(可控硅导通压降）X977A/2] X 4=2344W=2.344KW,有此可以看出，IGBT消耗的功率比可控硅消耗的功率省了21％。 由此得出IGBT电炉比可控硅电炉节电21％，那就错了，我们继续计算，IGBT消耗的功率是总功率的百分比为1.856KW/500KW=0.003712=0.3712%;可控硅消耗的功率是总功率的百分比为2.344KW/500KW=0.004688=0.4688%.有以上计算数据可以看出，在其它条件相同的条件下，IGBT电炉比可控硅电炉节电0.0976％，几乎可以忽略。 如改变其它条件，IGBT电炉采用串联逆变，通过提高中频电压节电，那就是另外回事了。可控硅电炉可以通过2倍压提高中频电压，由于可控硅的耐压、电流比IGBT器件高的多，可控硅电炉可以采用高进相电压、高中频电压，因此可控硅电炉如设计合理，比价格昂贵的IGBT电炉要更加节电。
