沉积设备和MOCVD都是薄膜沉积技术，在半导体、照明、显示等领域广泛应用，二者的区别如下：
1. 原理不同
沉积设备是利用化学反应将薄膜材料沉积在衬底上，其中常用的技术包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、溅射沉积等。而MOCVD是一种化学气相沉积技术，利用有机金属前体分解反应在衬底表面生成所需功能材料薄膜。
2. 沉积材料不同
沉积设备广泛应用于金属、氧化物、氮化物、硅等功能材料的沉积。而MOCVD有机金属前体的使用使其主要被用于III-V族复合材料、二元/三元化合物半导体材料、氮化物材料等的沉积。
3. 设备构造不同
沉积设备的结构相对简单，主要包括沉积室、衬底转台、加热系统、气路控制等。而MOCVD设备需要有更严格的控制参数，看重气体进入沉积室速度的控制与反应物在沉积室中的混合，防止未反应的有机金属前体沉积在衬底上。
4. 应用不同
普通的沉积设备适用于多种功能材料物理气相沉积和化学气相沉积应用，包括金属、氧化物、氮化物、硅及某些二元/三元化合物等的制备应用。而MOCVD技术广泛应用于LED光电、微电子、太阳能领域等高端应用。
综上，沉积设备和MOCVD虽然都是薄膜沉积技术，但原理、材料、构造和应用等存在很大差异。
沉积设备与movcd的区别在于它们的沉积材料和使用方法不同。
沉积设备通常使用化学气相沉积的方法在基片表面沉积材料，而movcd则使用金属有机气相沉积技术，它们的沉积材料和工艺存在明显差异。
化学气相沉积是用化学反应使挥发性前体物在基片表面自组装成薄膜，可以生长非常薄的氧化物和氮化物膜，该方法对于某些特殊材料有较好的晶体生长效果；而金属有机气相沉积方法则能制备出高度控制的复杂材料，非常适合高纯度、大尺寸、复杂度高、要求高质量的晶体生长过程。
