CVD技术装置主要由炉膛、供气系统、排气系统、腔体及增压装置五部分组成。
对原料的要求主要体现在两个方面：化学性质和物理性质。
1. 化学性质：要求原料易于气化，不含有助长剂、杂质等一些不纯的成分，同时也有要求进样量和流量控制的稳定性。
2. 物理性质：要求原料粒度小，不含有结块、密度不均、含有杂质等不纯的成分，这些都会影响气相反应的均匀性和反应速率。
除此之外，还要求原料的温度稳定，以保证反应条件的稳定。
答：CVD技术装置主要由气体传输系统、加热系统和真空系统三个主要部分组成。原料方面需要使用高纯度气体前驱体，确保薄膜的纯度和控制成膜过程。
1. 气体传输系统：负责将气态的前驱体输送至反应室。传输系统包括压力调整和传输管道等，其作用是保证在整个CVD过程中，气体气源稳定、准确地输送到反应区域，并控制气态物质的流量。
2. 加热系统：使待处理基片和气态前驱体达到适当的温度来发生反应。加热方式可以是热阻加热、感应加热等。加热系统的稳定性和温度均匀性直接影响到薄膜的形成过程和薄膜质量。
3. 真空系统：负责维持反应室内的低压真空环境，以便在控制的气氛下进行反应。真空系统既能提高气态前驱体分子之间的碰撞概率，从而提高反应速率，又能及时排放生成的副产物，减小其对成膜的影响。
对原料的要求：使用高纯度气体前驱体，这对于获得高质量的薄膜材料至关重要。气体前驱体的纯度直接影响到薄膜的杂质浓度和物相控制，从而决定最终薄膜产品的性能。在CVD过程中，还需要添加一些促进反应的催化剂或掺杂剂，以实现特定的材料性能。
CVD技术因其具有良好的成膜质量、可控性和适应性，广泛应用于电子、光学、能源等领域。在半导体行业中，CVD技术被用于制备金属、绝缘体和半导体材料的薄膜。其他高新材料，如石墨烯和碳纳米管等，也可通过CVD技术有效制备。
