
答:内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。
内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,这四个代号全是缩写。
第一个CL即CAS Latency,它描述的是内存列地址访问的延迟时间,这也是时序中最重要的参数;
第二个tRCD,即RAS to CAS Delay,是指内存行地址传输到列地址的延迟时间;
第三个tRP,即RAS Precharge Time,表示内存行地址选通脉冲预充电时间;
第四个tRAS,即RAS Active Time,描述的是行地址激活的时间。