半导体镀膜工艺流程（半导体真空镀膜设备设计全过程）

1. 基板清洗：将玻璃或聚合物等基板表面清洗干净，去除表面杂质和油污。

2. 水洗：用纯水将基板表面洗净，以去除其它清洗剂残留和离子。

3. 离子轰击清洗：将基板放入离子轰击清洗装置中，清除残留的杂质、氧化物等有机和无机污染物。

4. ITO蒸镀：将ITO材料用电子束蒸发器或磁控溅射设备在基板表面沉积在约100 ~ 300 Å的薄膜。

5. 淬火：将基板放入炉中，加热至200 ~ 350℃，持续2 ~ 3小时以上，可以使得ITO膜晶体结构变得紧密，具有良好的电学性能。

6. 接触电阻：检测ITO膜的接触电阻，以判断其是否能满足应用需求。

7. 原子力显微镜（AFM）检测：往往采用原子力显微镜对ITO膜的表面形貌和光学性质进行检测。

8. 包装：将基板封装，保护ITO膜免于受到各种物理和化学的侵蚀，延长其使用寿命。

以上就是ITO镀膜工艺流程的主要步骤。